| Kommentar |
−Kristallstrukturanalyse, Röntgenbeugung −Kristallbaufehler −Epitaxie-Schichten, Nanostrukturen, Fehlanpassung −Mikroskopie (Licht, Elektronen, Rastersonden), Abbildungsmodi, analytische Elektronenmikroskopie −Bandstruktur, Bandlücke, Anregungsspektroskopie, ortsaufgelöste Lumineszenz, effektive Masse −elektrische Transporteigenschaften, piezoresistiver Effekt −Ladungsträgerkonzentration und -beweglichkeit, Hall-Verfahren, CV-Methode −optische Absorption, Fourier-Transformationsspektroskopie −Verunreinigungen und Defekte, chemische Analyse, tiefe Störstellen −Minoritätsladungsträger-Lebensdauer, Diffusionslänge −Metall-Halbleiterübergang, Schottky-Kontakt, Ohmscher Kontakt, Schichtwiderstand −Oxidschichten, Ellipsometrie −Bauelementkenndaten |
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